光刻胶是微电子领域微细加工的核心上游材料，电子化学品材料的制高点。当前全球光刻胶生产制造主要被日本JSR、东京应化、信越化学、日本住友化学、美国陶氏化学和韩国东进等制造商所垄断，尤其在高分辨率的KrF和ArF光刻胶领域，其核心技术基本由美国和日本制造商所掌握。以半导体制造用的光刻胶市场为例，随着半导体的集成度提升，因半导体制造用的光刻胶纯度要求高，半导体对高性能半导 体光刻胶提出了更高的要求。

晶圆表面形貌及台阶高度测量方法
晶圆在加工过程中的形貌及关键尺寸对器件的性能有着重要的影响，而形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等就成为加工前后不可缺少的步骤。以下总结了从宏观到微观的不同表面测量方法（Offline设备）：

随着半导体制程线宽的不断缩小，目前先进制程可达10nm以下，其中先进光刻材料的开发必不可少，如DUV、EB、EUV、DSA光刻材料。因而，对光刻胶工艺和材料的计量需求变得越来越迫切，以揭示控制图案化线条的结构线宽、化学信息变化和线边缘粗糙度LER随机效应。因此，一种能够以纳米级空间分辨率监测细微化学变化的工具将是理解光化学和最终光刻胶结构之间关系的理想工具。

半导体工业自上世纪40-50年代诞生至今，已经历了70余年的发展，从最初的宏观电子管、晶体管发展到如今的 7-10nm，甚至 5nm工艺节点，芯片结构也由单层结构发展到如今的十余层结构。其突飞猛进的发展离不开光刻、镀膜、刻蚀工艺的进步。而各工艺的进步，特征尺寸得不断减小，必然伴随着设备、工艺、材料和检测技术的配套发展。

随着半导体制程线宽的缩减，气态分子污染物 (AMC) 的管制及监控方式也日益受到重视。本文将介绍气态分子污染物的定义、对半导体厂可能的影响、其可能来源及检测时机，及对其常用的离线采样方法 (包括冲击瓶、吸附管、不锈钢采样瓶、晶圆收集及表面擦拭) 与各类AMC 的分析方法，并举二件实例说明 AMC 分析之实际应用，分别为酸性 AMC 及硫化物之采样分析。